GT30J65MRB,S1E
产品详情
产品型号:
GT30J65MRB,S1E
所属分类:
描述:
IGBT 650V 60A TO-3P
封装:
Tube
RoHS状态:
Yes
产品参数
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
反向恢复时间
200 ns
IGBT类型
-
输入类型
Standard
最大功率
200 W
封装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
集电极电流（Ic）（最大值）
60 A
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 30A
工作温度
175°C (TJ)
栅极电荷
70 nC
供应商器件封装
TO-3P(N)
电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
650 V
开关能量
1.4mJ (on), 220µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C
75ns/400ns
测试条件
400V, 15A, 56Ohm, 15V
现货库存: 0
最小起订量 : 1
产品详情
数量
单价
总价
1
$4.2
$4.2
25
$2.38
$59.5
100
$1.94
$194
500
$1.59
$795
1000
$1.47
$1470
2000
$1.46
$2920
-
-
0755-23814471
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